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日前，美光全球第一個(gè)宣布了232層堆疊的NAND閃存，全球首家突破200層，已經(jīng)投入量產(chǎn)。 　　新閃存走的還是TLC，首次引入6個(gè)平面，存儲(chǔ)密度創(chuàng)新高14.6Gb/mm2，2.4GB/s IO速度提升50%，讀取帶寬提升785%，寫(xiě)入帶寬提升10%，封裝面積減小28%，還首發(fā)支持NVLPDDR4內(nèi)存。