IGBT-1200A型

Vce-Ic特性曲線測(cè)試儀

使用說明

長春艾克思科技有限公司

北京艾克思電子有限公司

電源銷售、訂制熱線（長春）（北京）

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IGBT-1200A型測(cè)試儀可以測(cè)試大功率IGBT（雙極型晶體管），大功率MOS管的Vce-Ic特性曲線。在國內(nèi)電子市場上，魚目混珠的產(chǎn)品太多，特別是大功率的IGBT，全新的和翻新的很難分辨出真假，標(biāo)稱的飽和壓降參數(shù)和實(shí)際的參數(shù)相差較大。工程師容易測(cè)試IGBT是否順壞，但是難測(cè)試大電流情況下IGBT的表現(xiàn)情況。如果采用多個(gè)IGBT并聯(lián)工作，即使是同一批次的產(chǎn)品，由于個(gè)體差異，大電流情況下的Vce壓降千差萬別，無法很好實(shí)現(xiàn)均流。如果能夠真實(shí)a測(cè)量大電流情況下，IGBT的實(shí)際壓降，使用IGBT到實(shí)際產(chǎn)品時(shí)，能夠大大的提高產(chǎn)品的可靠性。當(dāng)然，本產(chǎn)品可以再采購時(shí)使用，準(zhǔn)確分辨IGBT真?zhèn)?，防止買到次品。本儀器用于大功率IGBT、mos管。采用國際上比較流行的測(cè)試條件，儀器小巧輕便，讀數(shù)直觀，外配電腦顯示屏幕清晰分析功率器件的實(shí)際特性。

一：主要特點(diǎn)

A：測(cè)量多種IGBT、MOS管

B：集電極脈沖恒流源1200A

C：脈沖恒流源 50uS~300uS

D：Vce測(cè)量精度2mV E：Vce測(cè)量范圍0~8V

F：電腦圖形顯示界面

G：被測(cè)量器件智能保護(hù)

二：應(yīng)用范圍

A：大功率IGBT（雙極型晶體管）

B：大功率場效應(yīng)管（Mosfet）

C：其他功率管

三：測(cè)量原理

圖1 測(cè)量原理圖

四：參數(shù)

類型 數(shù)值 單位 備注

集電極恒流脈沖電流

Collect node Pulse current 1200 A 值

恒流源脈沖寬度

Pulse Width 50至300 uS 分檔

Vce飽和壓降范圍

Vce Sat voltage 8V V 峰值

工作頻率

Trigger Pulse 0.1~1 Hz 根據(jù)器件額定容量選擇

電源輸入

Power Requirement 220 VAC 功耗小于100W

保險(xiǎn)絲

Fuse 5 A

RS232連線

RS232 line 1 m 長度不能加長

圖2 IGBT-1200A型Vce-Ic特性曲線測(cè)試儀操作接口圖

圖3 IGBT-1200A型Vce-Ic特性曲線測(cè)試儀電腦操作界面圖

儀器規(guī)格改變，恕不通知！

五：操作步驟

步：關(guān)閉電源，將IGBT管接入；

第二步：連上電源線、RS232連接線；

第三步：打開上位機(jī)操作界面，選擇測(cè)試電流；

第四步：打開電源開關(guān)；

第五步：開始測(cè)試；

第六步：數(shù)據(jù)處理；

后得到的曲線如下圖：測(cè)試器件為CM400HA-24H@Vgs=15.0V

六：測(cè)量CM400HA-24H大功率IGBT步驟

步：關(guān)閉電源，用將CM400HA-24H的IGBT管接入； 連接好大電流線到集電極和發(fā)射極，使用紅色。

第二步：連上電源線、RS232連接線；打開上位機(jī)操作界面，選擇測(cè)試電流；

第三步：打開電源開關(guān)；開始測(cè)試；

第四步：數(shù)據(jù)處理；表為導(dǎo)出的數(shù)據(jù)

電流(A) - VCE-IC曲線 電壓(V) - VCE-IC曲線

0 0.032

162.8 2.264

319.5 2.774

482.4 3.208

639.1 3.598

802 4.004

1001 4.526

1097.4 4.8

1200 5.116

下圖為官方datasheet給定的Vsat圖。

下表將測(cè)試數(shù)據(jù)和官方數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，

電流(A) 電壓(V) 官方數(shù)據(jù)(V)

0 0.032 0

162.8 2.264 1.9

319.5 2.774 2.4

482.4 3.208 2.6

639.1 3.598 2.85

802 4.004 3.2

1001 4.526 無

1097.4 4.8 無

1200 5.116 無

通過比較發(fā)現(xiàn)：官方數(shù)據(jù)僅供參考，數(shù)據(jù)優(yōu)化后非常美，實(shí)際上達(dá)不到標(biāo)定參數(shù)，如果按照官方給定的參數(shù)設(shè)計(jì)散熱量的話，你就相差50%，后果嚴(yán)重。

七：測(cè)量GT60M103大功率IGBT步驟

步：連接IGBT模塊，如下圖

第二步：連上電源線、RS232連接線； 打開電腦程序；設(shè)置電腦程序；

第三步：打開測(cè)試儀電源開關(guān)；開始測(cè)試；

當(dāng)測(cè)試進(jìn)行到260A左右時(shí)，測(cè)試儀發(fā)現(xiàn)IGBT過流了，如果在進(jìn)行測(cè)試，恐怕?lián)p壞IGBT，自動(dòng)彈出過流報(bào)警信號(hào)，同時(shí)自動(dòng)停止測(cè)試脈沖，整個(gè)測(cè)試過程結(jié)束。

點(diǎn)擊確定，對(duì)話框關(guān)閉。

第四步：數(shù)據(jù)處理；

通過鼠標(biāo)右鍵，可以導(dǎo)出bmp格式的圖片和excel格式的數(shù)據(jù)。如下圖。

對(duì)比官方網(wǎng)站上的GT60M104管子的datasheet，對(duì)比看一看Vsat曲線。

20A：實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)Vce為1.9V 官方數(shù)據(jù)Vce為1.8V

40A：實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)Vce為2.35V 官方數(shù)據(jù)Vce為2.0V

60 A：實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)Vce為2.65V 官方數(shù)據(jù)Vce為2.2V

80 A：實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)Vce為3.0V 官方數(shù)據(jù)Vce為2.4V

100 A：實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)Vce為3.35V 官方數(shù)據(jù)Vce為2.45V

更高的電流數(shù)據(jù)官方?jīng)]有給出，這個(gè)可以參考實(shí)際測(cè)試所得到的數(shù)據(jù)。

綜上：官方給定數(shù)據(jù)在20A以下吻合較好，但是大于40A以后，器件的特性明顯沒有官方給定的數(shù)據(jù)有力，飽和壓降顯得偏高。這個(gè)數(shù)據(jù)在器件多個(gè)并聯(lián)使用時(shí)非常重要，不同器件并聯(lián)時(shí)，要求一致行好才可以并聯(lián)，不然哪個(gè)管子性能優(yōu)良，哪個(gè)就容易損壞。

八：常見問題分析

1、測(cè)試波形存在很大的噪聲，波形不穩(wěn)定。

答：測(cè)試器件的連接線必須非?？煽浚_保1200A的大電流沒有虛接。如果出現(xiàn)接線問題，只需要從新接線即可。

2、小電流測(cè)試時(shí)波形平滑，大電流時(shí)出現(xiàn)波形不穩(wěn)定。

答：Vce測(cè)量線測(cè)量時(shí)不能有很大的所圍成的面積，減小線距離，防止電磁干擾。

3、以上問題確定沒有問題時(shí)，還是出現(xiàn)波形不穩(wěn)定。

答：將測(cè)試恒流脈沖寬度設(shè)置到300uS，解決問題。因?yàn)槊}沖寬度小的時(shí)候，電流沒有穩(wěn)定，建議使用300uS脈沖寬度進(jìn)行測(cè)試。

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