科研實(shí)驗(yàn)專用氧化鉿靶材HfO2磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料

產(chǎn)品介紹

氧化鉿（HfO2）常溫常壓下為白色固體，熔點(diǎn)：2758℃，沸點(diǎn)：5400℃，密度：9.68g/cm3，難溶于水，常溫常壓下穩(wěn)定，避免與酸接觸；當(dāng)加熱到高溫時(shí)鉿與氧直接化合生成氧化鉿；也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。用于光譜分析及催化劑體系，耐熔材料；是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它可能替代目前硅基集成電路的核心器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。

產(chǎn)品參數(shù)

中文名 二氧化鉿 化學(xué)式 HfO2 沸點(diǎn) 5400℃

分子量 210.49 熔點(diǎn) 2758℃ 密 度 9.68g/cm3

純度 99.99%

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產(chǎn)品附件：發(fā)貨時(shí)產(chǎn)品附帶裝箱單/質(zhì)檢單/產(chǎn)品為真空包裝

適用儀器：多種型號(hào)磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設(shè)備

質(zhì)量控制：嚴(yán)格控制生產(chǎn)工藝，采用輝光放電質(zhì)譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測(cè)手段，分析雜質(zhì)元素含量保證材料的高純度與細(xì)小晶粒度；可提供質(zhì)檢報(bào)告。

加工流程：熔煉→提純→鍛造→機(jī)加工→檢測(cè)→包裝出庫(kù)