硅片加工工藝過程 單晶硅回收
多晶硅長晶法即長成單晶硅棒法有兩種:直拉法和浮融法。其中直拉法直拉法占了約85%。
切斷:目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規(guī)格的部分,將單晶硅棒分段成切片設(shè)備可以處理的長度,切取試片測量單晶硅棒的電阻率、含氧量。
外徑磨削:由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大,通過外徑滾磨可以獲得較為的直徑。
切片:指將單晶硅棒切成具有幾何尺寸的薄晶片。
倒角:指將切割成的晶片銳利邊修整成圓弧形,防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生。
研磨:指通過研磨除去切片和輪磨所造成的鋸痕及表面損傷層,有效改善單晶硅片的翹曲度、平坦度與平行度,達到一個拋光過程可以處理的規(guī)格。
腐蝕:指經(jīng)切片及研磨等機械加工后,晶片表面受加工應力而形成的損傷層,通常采用化學腐蝕去除。
拋光:指單晶硅片表面需要改善微缺陷,從而獲得平坦度、極小表面粗糙度值的晶片表面,并要求表面無變質(zhì)層、無劃傷的加工工藝。
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需要學習的知識點如下:
一、多晶硅的加工制造,特別是高純多晶硅的加工制造工藝。
二、世界主要多晶硅供應商應熟悉年產(chǎn)3000噸以上的工廠。
三、電池性能和行業(yè)指標;
四、電池片質(zhì)量,尤其是低劣質(zhì)量的電池片對組件的外觀和內(nèi)在影響;
五、全球電池主要供應商,包括國內(nèi)主要供應商;
六、多晶硅市場波動趨勢及供應鏈渠道構(gòu)成;
七、電池的加工制造過程,特別是關(guān)注質(zhì)量問題。
八、關(guān)于電池片引起的客戶投訴。
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所需光照要求復雜,選擇地日光輻射情況適當。太陽能,一提到這個名字,我們會把它和萬物之靈太陽聯(lián)系起來,但是太陽能發(fā)電所需的必要條件是光照指數(shù)。如果在陽光不太充足的多云天氣亦或者是雨天和悶熱的天氣里,太陽光伏效應轉(zhuǎn)換的效率將會大幅度降低,然而系統(tǒng)還仍需連續(xù)供電。但是對于普遍使用的并網(wǎng)系統(tǒng)而言,在用電高峰恰恰可以做到削峰填谷的作用,而且可以避免使用蓄電池而額外增加空間及費用。
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