高價回收貴金屬：白銀，黃金，鈀，鉑，銠等金屬物料，

高價回收小金屬：銦，鎵，碲及物料

長期高價回收碲及含碲的物料

高價回收鎵以及含鎵的物料。

收購粗銦，精銦，銦耙材及含銦的物料。

高價回收金銀鉑鈀釕銠貴金屬及貴金屬物料，銅鉛鉍物料。

砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點。此外，還可以用于制作轉(zhuǎn)移器件──體效應器件。砷化鎵是半導體材料中，兼具多方面優(yōu)點的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小，導熱性差，不適宜制作大功率器件。雖然砷化鎵具有優(yōu)越的性能，但由于它在高溫下分解，故要生產(chǎn)理想化學配比的高純的單晶材料，技術(shù)上要求比較高。

近年來固相提取法已應用于貴金屬精煉，并將互補或者取代溶劑萃取法。固相提取劑包括陰離子交換樹脂如苯酚甲醛離子交換樹脂 IRA400 以及Superlig 等介質(zhì)系列，或者采用陽離子和陰離子選擇性配位體共價結(jié)合到固相載體，采用不同的Superlig 介質(zhì)用于連續(xù)分離和提取 Pt、Pd、Rh，對于 Superlig 介質(zhì)分離機理包括配位體交換(Pd提取)或者離子交換([PtCl 6 ] 2- 提取)， 每一種情況的選擇性取決于高水平的分子識別，在再生固相提取介質(zhì)時采用類似于溶劑萃取洗滌和反萃步驟。

廢焊渣的處理一般采用直接加熱分離法。這種方法不僅回收率低，而且由于直接進入大氣層的“鉛煙”而受到環(huán)境的雙重污染，已被禁止。在本文中，液體覆蓋還原技術(shù)，不僅有效地抑制了“鉛煙”的揮發(fā)，也會導致錫和鉛的氧化物還原，使廢焊渣的回收率可達90%以上，既保護了環(huán)境，又提高了資源的利用效率，并效果理想。