銀的化學(xué)性質(zhì)不活潑，不與氧作用，長(zhǎng)久暴露在空氣中，和空氣中的硫化氫化合，表面變成黑色，形成黑色的硫化銀。常溫下，鹵素能與銀緩慢地化合，生成鹵化銀。銀不與稀鹽酸、稀硫酸和堿發(fā)生反應(yīng)，但能與氧化性較強(qiáng)的酸（濃硝酸和濃鹽酸）作用。

銀不會(huì)對(duì)人的身體產(chǎn)生毒性，但長(zhǎng)期接觸銀金屬和銀化合物會(huì)導(dǎo)致銀質(zhì)沉著癥。

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砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個(gè)數(shù)量級(jí)以上的半絕緣高阻材料,用來(lái)制作集成電路襯底、紅外探測(cè)器、γ光子探測(cè)器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應(yīng)用。用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。此外，還可以用于制作轉(zhuǎn)移器件──體效應(yīng)器件。砷化鎵是半導(dǎo)體材料中，兼具多方面優(yōu)點(diǎn)的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小，導(dǎo)熱性差，不適宜制作大功率器件。雖然砷化鎵具有優(yōu)越的性能，但由于它在高溫下分解，故要生產(chǎn)理想化學(xué)配比的高純的單晶材料，技術(shù)上要求比較高。