研磨液的添加量是根據(jù)水質(zhì)和產(chǎn)生切削屑來決定的，水質(zhì)硬切削量多，則研磨液的添加量應(yīng)多些。由于離心式研磨機(jī)在相同的時間內(nèi)切屑量多，所以研磨液的添加量應(yīng)多些。研磨液少量滴入滾筒內(nèi)被水?dāng)噭蚝螅诠庹麜r會粘附在零件與磨料的表面，對金屬表面氧化膜的化學(xué)作用，使其軟化，易于從表面研磨除去，以提高研磨效率。

多晶金剛石研磨液是利用多晶金剛石良好的韌性制成的研磨液，在研磨拋光過程中能夠保持高磨削力的同時不易產(chǎn)生劃傷，為后續(xù)精密拋光加工提供了良好的條件。廣泛用于光學(xué)晶體、陶瓷、超硬合金等各種硬質(zhì)材料的研磨和拋光。

半導(dǎo)體行業(yè)

CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的急速發(fā)展，對拋光技術(shù)提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術(shù)（如：基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術(shù)，不能做到全局平面化，而化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術(shù)。

依據(jù)機(jī)械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等，對硅單晶片化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）機(jī)理、動力學(xué)控制過程和影響因素研究標(biāo)明，化學(xué)機(jī)械拋光是一個復(fù)雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個動力學(xué)過程。