應(yīng)用領(lǐng)域

1、 光通訊領(lǐng)域，配合公司專門為光纖連接器開發(fā)的拋光產(chǎn)品，能達(dá)到超精細(xì)拋光效果，拋光后連接器端面沒有劃傷和缺陷，3D指標(biāo)和反射衰減指標(biāo)達(dá)到國際標(biāo)準(zhǔn)。

2、 硬盤基片的拋光，SiO2磨料呈球形，具有粒度均勻、分散性好、平坦化效率高等優(yōu)點。

3、 硅晶圓、藍(lán)寶石等半導(dǎo)體及襯底材料的粗拋和精拋，具有拋光速率高，拋光后易清洗，表面粗糙度低，能夠得到總厚偏差（TTV）極小的質(zhì)量表面。

4、其他領(lǐng)域的應(yīng)用，如不銹鋼、光學(xué)玻璃等領(lǐng)域，拋光后能達(dá)到良好的拋光效果

半導(dǎo)體行業(yè)

CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的急速發(fā)展，對拋光技術(shù)提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術(shù)（如：基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術(shù)，不能做到全局平面化，而化學(xué)機械拋光技術(shù)解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術(shù)。

CMP拋光液利用“軟磨硬”的原理很好的實現(xiàn)了藍(lán)寶石表面的精密拋光。隨著LED行業(yè)的快速發(fā)展，聚晶金剛石研磨液及二氧化硅溶膠拋光液的需求也與日俱增。

拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進(jìn)行氧化還原的動力學(xué)過程。這是化學(xué)反應(yīng)的主體。

拋光表面反應(yīng)物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應(yīng)的硅單晶重新裸露出來的動力學(xué)過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。