拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進(jìn)行氧化還原的動力學(xué)過程。這是化學(xué)反應(yīng)的主體。 拋光表面反應(yīng)物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應(yīng)的硅單晶重新裸露出來的動力學(xué)過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。

拋光液是一種不含任何硫、磷、氯添加劑的水溶性拋光劑，拋光液具有良好的去油污，防銹，清洗和增光性能，并能使金屬制品顯露出真實(shí)的金屬光澤。性能穩(wěn)定、，對環(huán)境無污染等優(yōu)點(diǎn)。包括棘輪扳手、開口扳手，批咀、套筒扳手，六角扳手，螺絲刀等，鉛錫合金、鋅合金等金屬產(chǎn)品經(jīng)過研磨以后，再使用拋光劑配合振動研磨光飾機(jī)，滾桶式研磨光式機(jī)進(jìn)行拋光。

二、地面原始亮度對出光效果的影響 固化地評經(jīng)過多種目數(shù)的樹脂磨片拋光后，已具備可觀的亮度，在此基礎(chǔ)上再采用地坪拋光液進(jìn)行處理，可以進(jìn)一步提升地坪的亮度。所以固化地坪亮度的「天花板」在哪里，實(shí)際上也是由原始地面基礎(chǔ)決定的。 比如說，工藝設(shè)計要求完成2000拋光后再上拋光液材料，而部分人員可能在500時就著急上料了，此時地面仍然是麻面，該狀態(tài)下就想做出理想效果多少是不現(xiàn)實(shí)的。 三、材料用量對出光效果的影響 地坪拋光液的用量應(yīng)控制在合適的范圍內(nèi)，過多會造成不必要的浪費(fèi)，過少則做不出該有的效果。注：以巴西蠟為基材的地坪拋光液，建議用量是1000m桶。 四、拋光設(shè)備對出光效果的影響 工欲善其事，必先利其器。拋光工序除了要準(zhǔn)備好材料，還要準(zhǔn)備好相應(yīng)的拋光工具，主要是拋光機(jī)和拋光墊。

半導(dǎo)體行業(yè) CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的急速發(fā)展，對拋光技術(shù)提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術(shù)（如：基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術(shù)，不能做到全局平面化，而化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術(shù)。