拋光液作為金屬加工液檢測種類的重要一員，對金屬表面的打磨處理，滿足平坦化需求起著關(guān)鍵性的作用。拋光液適用于鉛錫合金， 銅， 鋅合金， 不銹鋼， 鋁合金， 鐵等金屬零部件的拋光， 光亮度可達 12 級， 可取代多種進口拋光劑和拋光粉。

二、地面原始亮度對出光效果的影響 固化地評經(jīng)過多種目數(shù)的樹脂磨片拋光后，已具備可觀的亮度，在此基礎(chǔ)上再采用地坪拋光液進行處理，可以進一步提升地坪的亮度。所以固化地坪亮度的「天花板」在哪里，實際上也是由原始地面基礎(chǔ)決定的。 比如說，工藝設(shè)計要求完成2000拋光后再上拋光液材料，而部分人員可能在500時就著急上料了，此時地面仍然是麻面，該狀態(tài)下就想做出理想效果多少是不現(xiàn)實的。 三、材料用量對出光效果的影響 地坪拋光液的用量應(yīng)控制在合適的范圍內(nèi)，過多會造成不必要的浪費，過少則做不出該有的效果。注：以巴西蠟為基材的地坪拋光液，建議用量是1000m桶。 四、拋光設(shè)備對出光效果的影響 工欲善其事，必先利其器。拋光工序除了要準備好材料，還要準備好相應(yīng)的拋光工具，主要是拋光機和拋光墊。

化學拋光是一種將金相樣品浸入調(diào)配的化學拋光液中，借化學藥劑的溶解作用而得到的拋光表面的拋光方法。化學拋光是常見的金相樣品拋光方法之一，這種方法操作簡便，不需任何儀器設(shè)備，只需要選擇適當?shù)幕瘜W拋光液和掌握的拋光規(guī)范，就能快速得到較理想的光潔而無變形層的表面。

半導(dǎo)體行業(yè) CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的急速發(fā)展，對拋光技術(shù)提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術(shù)（如：基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術(shù)，不能做到全局平面化，而化學機械拋光技術(shù)解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術(shù)。