硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。

半導體行業(yè) CMP技術還廣泛的應用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導體工業(yè)的急速發(fā)展，對拋光技術提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術（如：基于淀積技術的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術，不能做到全局平面化，而化學機械拋光技術解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術。

地坪拋光液的施工方法： 利用拖把、刮刀、軟毛刷或滾筒等涂刷均勻，待地面將光亮劑吸收（約20分鐘）后，再用軟性物擦拭表面或者用拋光機拋光（采用白色羊毛纖維墊），直至光亮度表現(xiàn)出來為止。拋光完成后，即可上人，氣溫較低時，間隔時間需要適度延長。

什么是釉？查閱資料了解只有瓷器才上釉，釉的概念是陶瓷上面的一個鍍層，經(jīng)過兩千度的高溫，燒結形成了光澤堅硬的一層膜，實際上是一種從石油副產(chǎn)品中提煉出來的抗氧化劑。特點是防酸、抗腐、耐高溫、耐磨、耐水洗、高光澤度等。但是在漆面上是沒有可能做出此等效果的，因此又怎么能在汽車在上燒結一層所謂的釉呢？