研磨液的添加量是根據(jù)水質(zhì)和產(chǎn)生切削屑來決定的，水質(zhì)硬切削量多，則研磨液的添加量應(yīng)多些。由于離心式研磨機在相同的時間內(nèi)切屑量多，所以研磨液的添加量應(yīng)多些。研磨液少量滴入滾筒內(nèi)被水攪勻后，在光整時會粘附在零件與磨料的表面，對金屬表面氧化膜的化學作用，使其軟化，易于從表面研磨除去，以提高研磨效率。

LED芯片主要采用的襯底材料是藍寶石，在加工過程中需要對其進行減薄和拋光。藍寶石的硬度，普通磨料難以對其進行加工。在用金剛石研磨液對藍寶石襯底表面進行減薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。

依據(jù)機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎(chǔ)理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個動力學過程。

這兩個概念主要出半導體加工過程中，初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)——化學機械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。