研磨液的添加量是根據(jù)水質(zhì)和產(chǎn)生切削屑來決定的，水質(zhì)硬切削量多，則研磨液的添加量應(yīng)多些。由于離心式研磨機在相同的時間內(nèi)切屑量多，所以研磨液的添加量應(yīng)多些。研磨液少量滴入滾筒內(nèi)被水?dāng)噭蚝?，在光整時會粘附在零件與磨料的表面，對金屬表面氧化膜的化學(xué)作用，使其軟化，易于從表面研磨除去，以提高研磨效率。

多晶金剛石拋光液 多晶金剛石拋光液以多晶金剛石微粉為主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同時不易對研磨材質(zhì)產(chǎn)生劃傷。 主要應(yīng)用于藍寶石襯底的研磨、LED芯片的背部減薄、光學(xué)晶體以及硬盤磁頭等的研磨和拋光。

拋光液的主要產(chǎn)品可以按主要成分的不同分為以下幾大類：金剛石拋光液（多晶金剛石拋光液、單晶金剛石拋光液和納米金剛石拋光液）、氧化硅拋光液（即CMP拋光液）、氧化鈰拋光液、氧化鋁拋光液和碳化硅拋光液等幾類。

CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機械拋光的優(yōu)勢：單純的化學(xué)拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W(xué)機械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數(shù)量級，是能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。