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為了進(jìn)一步降低多晶硅太陽(yáng)電池的成本，研究了硅片厚度對(duì)多晶硅太陽(yáng)電池的短路電流密度、開路電壓和效率的影響。可以看出，在保證多晶硅太陽(yáng)電池性能不變或者提高的前提下，硅片厚度可以減小到200μm，如果繼續(xù)減小厚度，電池的性能將會(huì)下降。

結(jié)晶態(tài)硅材料的制備方法通常是先將硅石(SiO2)在電爐中高溫還原為冶金級(jí)硅(純度95%～99%)，然后將其變?yōu)楣璧柠u化物或氫化物，經(jīng)提純，以制備純度很高的硅多晶。包括硅多晶的西門子法制備、硅多晶的硅烷法制備。在制造大多數(shù)半導(dǎo)體器件時(shí)，用的硅材料不是硅多晶，而是高完整性的硅單晶。通常用直拉法或區(qū)熔法由硅多晶制得硅單晶。