產(chǎn)品描述：

具備支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切換速度更快等特性。硅基VOA陣列器件內(nèi)部為全固態(tài)芯片，具有百納秒級(jí)的響應(yīng)速度，八通道單片集成，功耗低，滿足光傳輸、光傳感系統(tǒng)對(duì)光衰減器高速響應(yīng)、小型化、高可靠的需求。其響應(yīng)速度比傳統(tǒng)VOA提升4個(gè)數(shù)量級(jí)，達(dá)到100ns級(jí)，使WDM光網(wǎng)絡(luò)中光功率快速控制成為可能。此外，其超低的光損耗可滿足民用光網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用要求，的集成度有助于大幅度減小模塊尺寸，純固態(tài)波導(dǎo)芯片使其具備的可靠性。

關(guān)鍵特征：

100ns級(jí)高速響應(yīng)、多至48通道單片集成、全固態(tài)波導(dǎo)芯片、超低光損耗。

典型應(yīng)用：

通道間光功率均衡或阻塞、WDM網(wǎng)絡(luò)光功率控制、1×1光開(kāi)關(guān)、模擬信號(hào)調(diào)制（靜態(tài)穩(wěn)定、無(wú)需工作點(diǎn)反饋控制回路）。

主要指標(biāo)（典型值）：

性能指標(biāo)

單位

吸收型

備注

工作波長(zhǎng)

nm

1525～1565

響應(yīng)時(shí)間

ns

100-300

插入損耗

dB

1.2

光纖進(jìn)到光纖出的損耗

衰減范圍

dB

25

偏振相關(guān)性

dB

≤0.3

@0dB衰減時(shí)

≤0.5

@0~25d衰減時(shí)

功耗(@18dB衰減)

mW

150

隨衰減量增大而增大

電壓

V

1.2

電流

mA

0-35

集成度