柔性薄膜材料IV測(cè)試用源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)，相比2400，B2901進(jìn)口源表，測(cè)量范圍更廣，電壓高300V，電流低至100pA；可進(jìn)行自我限制，避免因過充而造成的對(duì)測(cè)試器件的損害；詳情請(qǐng)聯(lián)系普賽斯儀表銷售專員為您解答一八一四零六六三四七六

源表定義

“源表”又稱“數(shù)字源表”、“源測(cè)量單元”，是一種可編程控制，作電壓源或電流源提供的電壓或電流，并同步測(cè)量和IV掃描的通用儀表。

源表特點(diǎn)：

多功能：可作源和負(fù)載，又能測(cè)；

率：滿足多種測(cè)試需求；

可編程控制：高精度可調(diào)，靈活控制；

IV掃描：快速、直觀顯示，一步操作。

應(yīng)用領(lǐng)域：

分立半導(dǎo)體器件特性測(cè)試，電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、BJT三極管、MOSFET、SIC、GaN等器件；

能量與效率特性測(cè)試，LED/AMOLED、太陽(yáng)能電池、電池、DC-DC轉(zhuǎn)換器等

傳感器特性測(cè)試，電阻率、霍爾效應(yīng)等

有機(jī)材料特性測(cè)試，電子墨水、印刷電子技術(shù)等

納米材料特性測(cè)試，石墨烯、納米線等

測(cè)試功能：

微電路

1

晶圓

L-IV測(cè)試，輸入曲線、輸出曲線

2

芯片

L-IV測(cè)試，輸入曲線、輸出曲線

器件

1

二極管

正向?qū)妷?、正向電流、反向擊穿電壓、反向漏電?/span>

2

三極管

L-IV測(cè)試，輸入曲線、輸出曲線

3

MOSFET

L-IV測(cè)試，輸入曲線、輸出曲線

4

IGBT

L-IV測(cè)試，輸出曲線、轉(zhuǎn)移曲線

5

晶閘管

正向電壓電流曲線、反向電壓電流曲線、觸發(fā)特性

電池

1

鋰電池

IV測(cè)試，充放電掃描曲線

2

光伏電池

IV測(cè)試，放電掃描曲線

材料

1

石墨烯

IV測(cè)試、輸入曲線、輸出曲線

2

納米線

IV測(cè)試、輸入曲線、輸出曲線

S系列源表特點(diǎn)：

5寸800*480觸摸顯示屏，全圖形化操作

內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件，加速用戶完成測(cè)試，如LIV、PIV

源及測(cè)量的準(zhǔn)確度為0.1%，分辨率5位半

四象限工作（源和肼），源及測(cè)量范圍：高至300V，低至10pA

豐富的掃描模式，支持線性掃描、指數(shù)掃描及用戶自定義掃描

支持USB存儲(chǔ)，一鍵導(dǎo)出測(cè)試報(bào)告

支持多種通訊方式，RS-232、GPIB及以太網(wǎng)

柔性薄膜材料IV測(cè)試用源表應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：

1、多功能測(cè)量需求下的廣泛的適應(yīng)性，電壓高300V，電流低至100pA；

2、實(shí)現(xiàn)“源”的輸出和“表”的測(cè)量同步進(jìn)行，提高測(cè)試效率。

3、具備對(duì)測(cè)試器件的保護(hù)功能，可進(jìn)行自我限制，避免因過充而造成的對(duì)測(cè)試器件的損害；

的電壓電流限制功能，為器件提供完善的保護(hù)功能，避免器件損壞。

4、觸屏圖形化操作，使用簡(jiǎn)單。開放式平臺(tái)，可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的需求而針對(duì)性的開發(fā)軟件。

國(guó)產(chǎn)優(yōu)勢(shì)

1、自主研發(fā)，符合大環(huán)境下國(guó)內(nèi)技術(shù)自給的需求；

2、性價(jià)比高；

3、可及時(shí)與客戶溝通，為客戶提供高性價(jià)比系統(tǒng)解決方案。及時(shí)指導(dǎo)客戶編程，加速測(cè)試系統(tǒng)開發(fā)。