主板CPU壞掉，必須更換主板，但參數(shù)又不知道。一般這種情況也比較常見(jiàn)。那是不是我們直接買(mǎi)一塊主板過(guò)來(lái)裝上就好了呢？不行。一般變頻器主板內(nèi)存有大量的參數(shù)，一旦我們買(mǎi)了板子裝上，那參數(shù)不一樣，拿到現(xiàn)場(chǎng)必須重新調(diào)參數(shù)。這樣即使調(diào)好，也要費(fèi)很長(zhǎng)工夫，尤其是那種復(fù)雜的系統(tǒng)。所以在這種時(shí)候，ROM數(shù)據(jù)可以用來(lái)復(fù)制參數(shù)。

產(chǎn)生過(guò)載的主要原因：負(fù)荷過(guò)載、線(xiàn)路短路、電源缺相、晶閘管本身?yè)舸p壞或誤觸發(fā)等，因晶閘管元件體積小，過(guò)載時(shí)會(huì)造成結(jié)溫過(guò)高而燒毀，所以必須嚴(yán)格限制過(guò)載電流，除控制（電子）電路實(shí)施的保護(hù)外，在主電路中經(jīng)常采用在電源串入快速熔斷器，對(duì)晶閘管的過(guò)載進(jìn)行保護(hù)，在發(fā)生6倍晶閘管額定電流時(shí)，一個(gè)周波可以熔斷。此外，還可采用過(guò)電流繼電器、直流快速斷路器等用于過(guò)載和短路保護(hù)，但保護(hù)速度和效果不如快速熔斷器。

快速熔斷器的額定電流值為晶閘管電流平均值的1.25~1.5倍。

通常過(guò)電壓具有較高的頻率，因此常采用電容作為吸收元件，但為防止振蕩，增加阻尼電阻，構(gòu)成R、C吸收回路。阻容吸收回路可以接在電源輸入側(cè)（交流側(cè)）、輸出側(cè)（直流側(cè)）和晶閘管的陽(yáng)極和陰極之間。但R、C阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)是固定的，對(duì)時(shí)間短、峰值高、能量大的過(guò)電壓吸收能力有限，因而在輸入側(cè)，通常還并有硒堆、壓敏電阻等非線(xiàn)性元件，用以對(duì)晶閘管的過(guò)電壓進(jìn)行吸收。硒堆由多片硒片疊合而成，硒堆涌流容量大，對(duì)過(guò)電壓抵制效果好，有自恢復(fù)特性等優(yōu)點(diǎn)，但因體積大，價(jià)格高，在中、小容量的晶閘管裝置中，已經(jīng)很少應(yīng)用。

絕緣性能測(cè)試。用萬(wàn)用表R*10K擋分別測(cè)量鐵芯與初級(jí)，初級(jí)與各次級(jí)，鐵芯與各次級(jí)，靜電屏蔽層與各次級(jí)，次級(jí)各繞組間的電阻值，萬(wàn)用表指針均應(yīng)指在無(wú)窮大位置不動(dòng)。否則，說(shuō)明變壓器絕緣性能不良。