變頻器需要更改功率。很簡(jiǎn)單，變頻器的功率等系統(tǒng)參數(shù)，都是保存在ROM里面。很多機(jī)器的功率是不能輕易去更改的，只有用這個(gè)辦法：復(fù)制ROM數(shù)據(jù)！這樣的話，主板更換也就不怕功率不對(duì)了。

產(chǎn)生過載的主要原因：負(fù)荷過載、線路短路、電源缺相、晶閘管本身擊穿損壞或誤觸發(fā)等，因晶閘管元件體積小，過載時(shí)會(huì)造成結(jié)溫過高而燒毀，所以必須嚴(yán)格限制過載電流，除控制（電子）電路實(shí)施的保護(hù)外，在主電路中經(jīng)常采用在電源串入快速熔斷器，對(duì)晶閘管的過載進(jìn)行保護(hù)，在發(fā)生6倍晶閘管額定電流時(shí)，一個(gè)周波可以熔斷。此外，還可采用過電流繼電器、直流快速斷路器等用于過載和短路保護(hù)，但保護(hù)速度和效果不如快速熔斷器。

快速熔斷器的額定電流值為晶閘管電流平均值的1.25~1.5倍。

通常過電壓具有較高的頻率，因此常采用電容作為吸收元件，但為防止振蕩，增加阻尼電阻，構(gòu)成R、C吸收回路。阻容吸收回路可以接在電源輸入側(cè)（交流側(cè)）、輸出側(cè)（直流側(cè)）和晶閘管的陽極和陰極之間。但R、C阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)是固定的，對(duì)時(shí)間短、峰值高、能量大的過電壓吸收能力有限，因而在輸入側(cè)，通常還并有硒堆、壓敏電阻等非線性元件，用以對(duì)晶閘管的過電壓進(jìn)行吸收。硒堆由多片硒片疊合而成，硒堆涌流容量大，對(duì)過電壓抵制效果好，有自恢復(fù)特性等優(yōu)點(diǎn)，但因體積大，價(jià)格高，在中、小容量的晶閘管裝置中，已經(jīng)很少應(yīng)用。

變頻器用量較大的車間，用電容器直接進(jìn)行無功力率補(bǔ)償雖然可以大副度降低基波無功電流，但是必然出現(xiàn)諧波放大現(xiàn)象。這時(shí)，供電電流和電容器電流中諧波和間諧波電流大副度增加，電容器由于超溫和過壓而損壞，供電變壓器溫升加大。為避免諧波電流大副度增加，電容器由于超溫和過壓而損壞，供電變壓器溫升加大。為避免諧波放大，諧波治理與無功功率補(bǔ)償必須同時(shí)進(jìn)行。