IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。

提供適當?shù)恼聪螂妷海笽GBT能可靠地開通和關斷。當正偏壓增大時IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降，但若ce過大，則負載短路時其c隨ce增大而增大，對其不利，使用中選GE《15V為好。負偏電壓可防止由于關斷時浪涌電流過大而使IGBT誤導通，一般選UGE -- 5V為宜。

采用脈沖變壓器隔離驅動IGBT，該方式是利用變壓器的工作原理，由次級感應電壓直接驅動IGBT，如上圖1所示。由于變壓器具有阻抗變換與隔離作用，所以這種驅動方式不僅簡化了驅動電路，還解決了驅動電路的供電與 IGBT不共地的連接問題。

在IGBT關斷期間，由于電路中其他部分的工作，會在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號，這些信號輕則會使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài)，增加管子的功耗。重則將使調壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此，給處于截止狀態(tài)的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5～15 V)，使IGBT在柵極出現(xiàn)開關噪聲時仍能可靠截止。