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ITO靶材的制備通常采用物相沉積(PVD)或化學(xué)氣相沉積(CVD)等方法。PVD法通過(guò)濺射技術(shù)將銦和錫等材料沉積在基材上,形成ITO薄膜。CVD法則是通過(guò)氣相反應(yīng)在基材表面生成ITO薄膜。這兩種方法都能夠生產(chǎn)高質(zhì)量、均勻的ITO薄膜,但PVD法更為常見(jiàn)。
ITO靶材作為重要的透明導(dǎo)電材料,在電子產(chǎn)業(yè)中扮演著重要角色。為了實(shí)現(xiàn)資源的可持續(xù)利用,銦元素的回收變得尤為重要。目前,化學(xué)、物理和電化學(xué)回收法都在不同程度上取得了一定的成果,但仍需要進(jìn)一步的研究和改進(jìn)。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,我們有望找到更加、環(huán)保的ITO靶材回收方法,為電子產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展做出貢獻(xiàn)。