西瓜嫁接育苗人員必要本身決定必要控制多少環(huán)境。要是溫室面積不大，用一個恒溫器和時鐘即可。然而，要是溫室面積大于800平方米，內有多個地區(qū)，則必要用謀略機來控制。一樣平常育苗溫室越大，必要控制的越龐大、越機動，則越必要謀略機。

要知道必要控制什么和怎樣控制，是用謀略機環(huán)境控制體系的要害。必須相識體系怎樣事情和怎樣調解。某些體系比其他體系容許調解的步調較多。有些謀略機控制體系可以連續(xù)記錄天氣資料，提供每一個溫室地區(qū)環(huán)境數據連續(xù)記錄，且繪制成圖，提供更快更的控制。環(huán)境控制謀略機可以容易地處理懲罰晝夜溫差、低沉濕度、施用二氧化碳、遮陰、通風，同臨時間多地區(qū)控制等。

1、溫度影響8424西瓜苗的光相助用、呼吸、酶活性、水和養(yǎng)分汲取。在溫度從10℃增長到29℃時，莖和根生長相應的增長。每一種植物的生長有其適溫度，這個溫度差異于著花的適溫度。在溫度連結在線形范疇內，葉片的展開速度受嫁接西瓜苗生長日平均溫度的影響。晝夜溫差可用于控制植物節(jié)間長度。溫度與光、二氧化碳和養(yǎng)分相互作用控制著嫁接西瓜苗的生長。

2、光質對植物形態(tài)影響是由紅光和紅外光的比例來決定。光照時數或光周期控制著花。光強議決光相助用影響8424西瓜苗的生長和產量。葉片光相助用的光飽和點約莫是32280lx。遮陰可造成8424西瓜嫁接苗徒長。光量也影響植物的光相助用、生長、產量和光中性植物的著花。來自于光相助用的碳水化合物的優(yōu)先分配干系首先是花和種子，莖次之，根位居第三。高壓氣體放電燈，如高壓鈉燈，在低天然光和長夜地區(qū)是緊張補光辦法。

3、嫁接西瓜苗對高濃度二氧化碳的應聲大于正常水平。溫室注入二氧化碳的時間是在第1個真葉出現(xiàn)時，濃度為600～1200mg/L。二氧化碳濃度增長與溫度、光照、濕度和養(yǎng)分等相互制約。

4、濕度控制著8424西瓜苗的蒸發(fā)和蒸騰速度。高濕度引起植物徒長，Ca汲取淘汰，易造成植物生長柔弱。

5、小型育苗溫室環(huán)境控制包羅恒溫器控制和邏輯模擬控制體系。對大于800平方米的溫室，應利用環(huán)境控制謀略機。