dpc工藝又稱直接鍍銅陶瓷基板，在制作中首先將陶瓷基板進(jìn)行前處理清洗，利用真空濺射方式處理基板表面沉積Ti/Cu層作為種子層，接著以光刻、顯影、刻蝕工藝完成線路制作，后再以電鍍/化學(xué)鍍方式增加線路厚度，待光刻膠去除后完成基板制作。dpc陶瓷基板成品厚度是板材厚度中加上工藝層厚度，在常規(guī)板材厚度有0.25mm~3.0mm，不過(guò)通常厚度是0.25mm、0.38mm、0.635mm、0.8mm、1.0mm等。其實(shí)陶瓷基板厚度除了基材厚度有包括線路、阻焊、銅厚、表面處理（沉金、鍍金）等厚度。

MCPCB主要是從早期的銅箔印刷式電路板(FR4)慢慢演變而成，MCPCB與FR4之間的差異是，MCPCB以金屬為核心技術(shù)，采用鋁或銅金屬作為電路板之底材，在基板上附著上一層銅箔或銅板金屬板作線路，用以改善散熱不佳等問(wèn)題。

因鋁金屬本身具有良好的延展性與熱傳導(dǎo)，結(jié)合銅金屬的高熱傳導(dǎo)率，理當(dāng)有非常良好的導(dǎo)熱/散熱效果，然而，鋁本身為一導(dǎo)體，基于產(chǎn)品特性，鋁基板與銅之間必須利用一絕緣體做絕緣，以避免銅線路與鋁基板上下導(dǎo)通，故MCPCB多采用高分子材料作為絕緣層材料，但絕緣層(Polymer)熱傳導(dǎo)率僅0.2~0.5W/mK，且有耐熱方面的問(wèn)題。

因此原本熱傳導(dǎo)率的鋁／銅金屬，在加入Polymer后，形成熱阻，大幅的降低基板整體的熱傳導(dǎo)效率，導(dǎo)致MCPCB的熱傳導(dǎo)率僅有1W/mK~2.2W/mK。近期的研究中，將高導(dǎo)電材料覆合于MCPCB之高分子材料中，雖提了MCPCB產(chǎn)品的熱傳導(dǎo)率，但其MCPCB整體主軸方向的熱傳導(dǎo)率亦僅能提致3~5W/mK左右。然而，在實(shí)際應(yīng)用上，MCPCB也面臨因沖壓分割時(shí)造成因金屬延伸(如圖二所示)，此時(shí)因金屬銅層受沖壓變形延伸而導(dǎo)致板邊高分子介電絕緣層變形，如此一來(lái)，容易使得LED產(chǎn)品的耐壓特性不穩(wěn)定(介電高分子變形破壞)。

近期有許多以陶瓷材料作為高功率LED散熱基板之應(yīng)用，然而LTCC／HTCC二者因采用厚膜工藝備置金屬線路，使得線路度不高，加上受限于工藝因素，不利于生產(chǎn)小尺寸的產(chǎn)品，因此LTCC／HTCC現(xiàn)階段工藝能力并不適合小尺寸高功率產(chǎn)品的需求。另一方面，DBC亦受限于工藝能力，線路解析度僅適合100~300um，且其量產(chǎn)能力受金屬／陶瓷介面空氣孔洞問(wèn)題而受限。在陶瓷基板產(chǎn)品的線路度、材料散熱系數(shù)、金屬表面平整度、金屬／陶瓷間接合覆著度考量，目前以薄膜微影程制作金屬線的DPC陶瓷基板的應(yīng)用范疇廣。

其實(shí)LED多采用陶瓷基板做成芯片，以實(shí)現(xiàn)更好的導(dǎo)熱性能，另外，還有其它電子設(shè)備也可以做到陶瓷基板芯片，例如大功率電力半導(dǎo)體模塊、半導(dǎo)體制冷器、電子加熱器、功率控制電路、功率混合電路、智能功率組件、高頻開(kāi)關(guān)電源、汽車電子、太陽(yáng)能電池板組件、激光等工業(yè)電子。

由于小尺寸的陶瓷基板芯片（小于3mm*3mm）通過(guò)技術(shù)也能實(shí)現(xiàn)小尺寸集成電路的封裝，所以對(duì)于集成電路的應(yīng)用也是很大，畢竟集成電路的發(fā)展具備著精密化、微型化等特征。