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陶瓷基板的電阻技術(shù)

2022-10-20 06:57:20  412 次瀏覽

說(shuō)到陶瓷,一般人就很容易的聯(lián)想到磁磚、陶瓷器皿、浴缸、或是景陶瓷藝術(shù)品,這些通稱為傳統(tǒng)陶瓷。而對(duì)于被動(dòng)元件的基板,它們屬于精細(xì)陶瓷(Fine Ceramics)。采用高純度無(wú)機(jī)材料為原料,經(jīng)過(guò)控制化學(xué)組成及均勻度,再經(jīng)過(guò)一定方式成形,后高溫?zé)Y(jié)而成。其具有足夠高的機(jī)械強(qiáng)度,低介電常數(shù),低熱膨脹系數(shù),高熱導(dǎo)率,良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn),得到了廣泛的應(yīng)用。

對(duì)于需求為廣泛的片式薄膜與厚膜電阻器來(lái)說(shuō),陶瓷基板材料的機(jī)械性能和電氣性能對(duì)電阻膜層有非常大的影響,我們將從幾個(gè)角度來(lái)介紹基板性能對(duì)電阻膜層的影響。

陶瓷制造工藝

陶瓷燒成前典型的成形方法為流延成型,容易實(shí)現(xiàn)多層化且生產(chǎn)效率較高。

氧化鋁陶瓷基板:

從現(xiàn)實(shí)情況來(lái)看,廣泛使用的還是Al2O3基板,同時(shí)其加工技術(shù)與其他材料相比也是的。按含氧化鋁(Al2O3)的百分?jǐn)?shù)不同可分為:75瓷、96瓷、99.5瓷。氧化鋁含有量不同,其電學(xué)性質(zhì)幾乎不受影響,但是其機(jī)械性能及熱導(dǎo)率變化很大。純度低的基板中玻璃相較多,表面粗糙度大。純度越高的基板,越光潔、致密、介質(zhì)損耗越低,但是價(jià)格也越高。

所以薄膜電阻和厚膜電阻,他們所采用的氧化鋁基板也不完全相同。

氮化鋁陶瓷基板:

氮化鋁陶瓷是以氮化鋁粉體為主晶相的陶瓷。相比于氧化鋁陶瓷基板,絕緣電阻、絕緣耐壓更高,介電常數(shù)更低。其熱導(dǎo)率是Al2O3的7~10倍,熱膨脹系數(shù)(CTE)與硅片近似匹配,這對(duì)于大功率半導(dǎo)體芯片至關(guān)重要。在生產(chǎn)工藝上,AlN熱導(dǎo)率受到殘留氧雜質(zhì)含量的影響很大,降低含氧量,可明顯提高熱導(dǎo)率。目前工藝生產(chǎn)水平的熱導(dǎo)率達(dá)到170W/(m·K)以上已不成問(wèn)題。

氮化鋁陶瓷基板:

氧化鈹基板的熱導(dǎo)率是Al2O3基板的十幾倍,適用于大功率電路,而且介電常數(shù)又低,可用于高頻電路。BeO基板用于一般用作大功率微波散熱基板。缺點(diǎn)是BeO粉塵與蒸汽的毒性對(duì)人體傷害很大,存在環(huán)境問(wèn)題。

表面粗糙度

表面粗糙度,是指連續(xù)表面上峰點(diǎn)、谷點(diǎn)與中心線的平均偏差,用Ra表示,單位為um。表面粗糙度越小,則表面越光滑。而基片表面粗糙度參數(shù),對(duì)電阻膜層連續(xù)性有重要影響。舉一個(gè)極端例子:對(duì)于薄膜電阻器,若薄膜膜層厚度僅為200?~400?(0.02um~0.04um),此厚度的膜層覆蓋在1um(10000?)的粗糙表面上,這種膜沿高山和深谷蔓延,結(jié)果是電阻器的阻值變化很大。有較大可能形成不完全的、斷裂的、有裂紋的不連續(xù)膜。

介電損耗

對(duì)于基板材料來(lái)說(shuō),其相關(guān)特性還有介電損耗。其由介電材料中極化電流滯后電壓相位角的正切來(lái)表征,它與信號(hào)頻率和電路分布參數(shù)C、R的關(guān)系是:δ稱為損耗角。δ值大,信號(hào)會(huì)以發(fā)熱的形式發(fā)送損耗,甚至消失,對(duì)于高頻應(yīng)用來(lái)說(shuō),介電損耗極為重要。

介電常數(shù)

信號(hào)傳輸速度v與基板介電常數(shù)的平方根成反比。因此,對(duì)于高速回路,要求基板有更低的介電常數(shù)。

熱導(dǎo)率

一些大功率應(yīng)用,對(duì)基板提出了高散熱的要求,需要采用高熱導(dǎo)率基板,如AlN基板和BeO基板等。對(duì)于電阻而言,采用高熱導(dǎo)率基板可以實(shí)現(xiàn)相同尺寸下更大的額定功率。

熱膨脹系數(shù)

對(duì)于不同元件,對(duì)熱膨脹系數(shù)要求不同。對(duì)于半導(dǎo)體芯片,要求基板的熱膨脹系數(shù)與Si越接近越好,因此可以大大降低大規(guī)模集成電路運(yùn)行-停止溫度循環(huán)中產(chǎn)生的應(yīng)力,此應(yīng)用一般采用SiC基板。對(duì)于金屬箔電阻而言,考慮到箔片熱膨脹與陶瓷基板相匹配實(shí)現(xiàn)低溫漂因素,基板的熱膨脹系數(shù)需要重點(diǎn)考量。

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